就
是
對(duì)
待
工
作
的
態(tài)
度
，
個(gè)產(chǎn)品，
對(duì)待每一
做到極致認(rèn)真
每一個(gè)零件
細(xì)
致
致
每一組數(shù)據(jù)
-
智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
-
潔凈烘箱，百級(jí)無塵烘箱
-
氮?dú)夂嫦洌艹涞嫦?/div>LCP熱處理烘箱，LCP纖維氮?dú)夂嫦?/div>熱風(fēng)循環(huán)真空烘箱，高溫?zé)犸L(fēng)真空烤箱HMDS預(yù)處理系統(tǒng)(JS-HMDS90 )智能型無塵無氧烘箱（PI烤箱）真空無氧固化爐，高溫?zé)o氧烘箱精密烤膠臺(tái)，高精度烘膠機(jī)超低溫試驗(yàn)箱，零下-120度高低溫箱
最新消息
熱搜：HMDS烘箱 無塵烤箱 無氧烤箱
新 聞 動(dòng) 態(tài)
NEWS
蘇州納米所在氮化鎵基納米柱材料和探測器領(lǐng)域取得進(jìn)展
來源:
|
作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部
|
發(fā)布時(shí)間: 2022-06-30
|
1009 次瀏覽
|
分享到:
氮化鎵（GaN）作為寬禁帶半導(dǎo)體，是第三代半導(dǎo)體的代表性材料，其為直接帶隙材料，具有發(fā)光效率高、熱導(dǎo)率大、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，在照明、顯示、探測等多個(gè)領(lǐng)域有較高應(yīng)用價(jià)值。低維（如納米柱、量子點(diǎn)）GaN基材料因其獨(dú)特的物理特性，受到廣泛關(guān)注。中科院蘇州納米所陸書龍團(tuán)隊(duì)利用分子束外延（MBE）技術(shù)開展了GaN基納米柱材料外延生長的研究，基于納米柱結(jié)構(gòu)的GaN基探測器有望獲得良好的柔韌性，可以拓展GaN基材料在光電探測器領(lǐng)域的發(fā)展與應(yīng)用。
在前期柔性GaN基納米柱薄膜快速剝離技術(shù)和相關(guān)探測器件的基礎(chǔ)上（ACS Appl. Nano Mater. 2020, 3: 9943；ACS Photonics 2021, 8: 3282；Materials Advances, 2021, 2: 1006），該團(tuán)隊(duì)利用轉(zhuǎn)移的(Al,Ga)N納米柱薄膜制備出一種柔性自驅(qū)動(dòng)紫外探測器，該器件具有較高的紫外/可見光抑制比（977）、比探測率（2.51×1011 Jones）和透明度（Max: 81%）。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，該自驅(qū)動(dòng)探測器具有良好的柔韌性（圖1），500次的大幅彎折之后，器件的光電流強(qiáng)度仍保持穩(wěn)定。此外，GaN基材料穩(wěn)定的物化性質(zhì)和器件鈍化工藝使探測器在長時(shí)間的光照測試（6000s）、耐久度測試（30天）后依然具有良好穩(wěn)定性。
上述研究成果以Flexible self-powered photoelectrochemical photodetector with ultrahigh detectivity, ultraviolet/visible reject ratio, stability, and a quasi-invisible functionality based on lift-off vertical (Al,Ga)N nanowires為題，發(fā)表在Advanced Materials Interfaces上，并被期刊選為背封面。
MUNE
>網(wǎng)站首頁 >公司簡介 >產(chǎn)品中心 >新聞動(dòng)態(tài)
>幫助文檔 >在線留言 >聯(lián)系我們
上海雋思實(shí)驗(yàn)儀器有限公司 ? 版權(quán)所有 滬ICP備16022591號(hào)-3
Copyright ? 2012-2018 junsicn.com All Rights Reserved.
技術(shù)支持：上海雋思儀器
CONTACT US
tel：18016234441
EMALL：junsish@163.com
